一、集成電路（半導體材料及設備/集成電路/應用領域）

1、浙江省集成電路智能制造協(xié)同創(chuàng)新中心獲批

2月18日，浙江省教育廳公布了第八批浙江省協(xié)同創(chuàng)新中心認定結果，“浙江省集成電路智能制造協(xié)同創(chuàng)新中心”成功獲批。

浙江省集成電路智能制造協(xié)同創(chuàng)新中心由浙江大學集成電路學院牽頭建設，聯(lián)合浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司等多家單位共同組建。

該創(chuàng)新中心主要圍繞智能制造的關鍵技術問題與創(chuàng)新鏈條，以12英寸集成電路成套工藝公共研發(fā)與中試線為依托，進行集成電路工藝虛擬化、測試虛擬化、智能制造、設計制造協(xié)同四大智能化技術攻關。

2、立昂微擬12.3億元投資“年產(chǎn)96萬片12英寸硅外延片項目”

2月14日，立昂微發(fā)布公告，公司擬與嘉興市南湖高新技術產(chǎn)業(yè)園區(qū)管理委員會簽署《投資協(xié)議書》，在嘉興市南湖高新技術產(chǎn)業(yè)園區(qū)投資“年產(chǎn)96萬片12英寸硅外延片項目”，項目計劃總投資12.3億元。

3、英飛凌官宣：首批8英寸SiC產(chǎn)品問世

據(jù)市場調研發(fā)現(xiàn)，2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品。這些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再生能源、火車和電動汽車在內的高壓應用提供一流的碳化硅功率技術。

這一舉措標志著英飛凌在碳化硅技術應用上邁出了重要一步，有望進一步提升相關領域的能源效率和性能表現(xiàn)。尤其在電動汽車領域，英飛凌不斷拓展合作版圖。 英飛凌在生產(chǎn)布局上也有著重大進展，其位于馬來西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉換，其新建Module 3 廠房已準備好根據(jù)市場需求開始大規(guī)模生產(chǎn)。

二、政策梳理

北京海淀發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)新措施，單個企業(yè)補貼最高1500萬

【北京市海淀區(qū)人民政府辦公廳發(fā)布《中關村科學城集成電路流片補貼申報指南》】2月14日，北京市海淀區(qū)人民政府辦公廳發(fā)布《中關村科學城集成電路流片補貼申報指南》，面向海淀區(qū)從事集成電路設計業(yè)務的企業(yè)，支持集成電路設計企業(yè)開展多項目晶圓（MPW）或工程產(chǎn)品首輪流片（全掩膜），單個企業(yè)補貼最高1500萬。

根據(jù)《申報指南》，在支持集成電路設計企業(yè)開展多項目晶圓（MPW）首輪流片方面，對境內企業(yè)按照不超過產(chǎn)品流片費用的50%予以獎勵，單個企業(yè)上限300萬元。對境外企業(yè)按照不超過產(chǎn)品流片費用的30%予以獎勵，單個企業(yè)上限200萬元。

在支持集成電路設計企業(yè)開展工程產(chǎn)品首輪流片（全掩膜）方面，對境內開展先進制程（14nm及以下）工程產(chǎn)品首輪流片（全掩膜）的企業(yè)，按照不超過產(chǎn)品流片費用的30%予以獎勵，單個企業(yè)上限800萬元；對在境內開展成熟制程（14nm以上）工程產(chǎn)品首輪流片（全掩膜）的企業(yè)，按照不超過產(chǎn)品流片費用的20%予以獎勵，單個企業(yè)上限500萬元；對在境外開展先進制程（14nm及以下）工程產(chǎn)品首輪流片（全掩膜）的企業(yè)，按照不超過產(chǎn)品流片費用的15%予以獎勵，單個企業(yè)上限500萬元。此外，企業(yè)若有多個產(chǎn)品符合多項申報條件可同時申報，單個企業(yè)本年度獎勵金額最高不超過1500萬元。

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一、集成電路（半導體材料及設備/集成電路/應用領域）
1、浙江省集成電路智能制造協(xié)同創(chuàng)新中心獲批
2、立昂微擬12.3億元投資“年產(chǎn)96萬片12英寸硅外延片項目”
3、英飛凌官宣：首批8英寸SiC產(chǎn)品問世
二、政策梳理
北京海淀發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)新措施，單個企業(yè)補貼最高1500萬